دیتاشیت US6J11TR
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
US6J11TR
|
| حجم فایل |
74.262
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
14
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
2 P-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
ROHM Semicon US6J11TR
-
Power Dissipation (Pd):
1W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
2.4nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
12V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
290pF@6V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.3A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.06Ω@1.5V,200mA
-
Package:
SOT-363T
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
